器件采用3232外形尺寸、具有3.0mm厚度，感值為0.22μH～10.0μH，最大DCR低至1.61mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 8 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值范圍。
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器件可在30米(100英尺)深的海水下正常工作
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款完全采用防海水的IP68密封，可在水下使用的新型金屬陶瓷板電位計(jì)---P13SM。P13SM采用不銹鋼軸和套筒，是針對(duì)需要把電位計(jì)浸到30米（100英尺）的深海鹽水里進(jìn)行電氣參數(shù)設(shè)定的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。在一項(xiàng)鹽霧試驗(yàn)中，器件的耐腐蝕時(shí)間最長(zhǎng)可以達(dá)到960小時(shí)。
今天發(fā)布的Vishay
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 7 月 11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將參加2011年7月20至22日在Tokyo Big Sight舉行的Power System Japan展覽會(huì)，展示其最新的技術(shù)方案。該展會(huì)是Techno-Frontier 2011（2011日本電子、機(jī)械零配件及材料博覽會(huì)）在電源系統(tǒng)方面的專業(yè)展覽。Vishay展位號(hào)3T-211，Vishay的大批業(yè)
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器件適用于手持式電子設(shè)備，具有低至0.8mm的高度和12MHz～25MHz的頻率范圍
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 7 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出頻率范圍達(dá)12MHz～25MHz的新款超小型SMD石英晶振--- XT23和XT35。XT23和XT35分別采用3.2mm x 2.5mm和5.0mm x 3.2mm的陶瓷封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。這兩款器件的高度均為0.8mm。
今天發(fā)布的器件具
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市場(chǎng)對(duì)性能更好、封裝尺寸更小的表面貼裝器件的需要不斷增長(zhǎng)。此視頻通過(guò)展示板介紹了繞線電阻技術(shù)、Power Metal Strip?技術(shù)及厚膜電阻技術(shù)，并展現(xiàn)了這些技術(shù)如何為不同的封裝類型提供表面貼裝產(chǎn)品解決方案。
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IHLP?功率電感器飽和電流產(chǎn)品演示。此演示比較Vishay IHLP和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的設(shè)備。通過(guò)測(cè)試部件的DC偏置，說(shuō)明在高等級(jí)的額定電流下IHLP產(chǎn)品性能優(yōu)越。
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器件適用于手持式電子設(shè)備，具有低至0.8mm的高度和12MHz～25MHz的頻率范圍
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 7 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出頻率范圍達(dá)12MHz～25MHz的新款超小型SMD石英晶振--- XT23和XT35。XT23和XT35分別采用3.2mm x 2.5mm和5.0mm x 3.2mm的陶瓷封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。這兩款器件的高度均為0.8mm。
今天發(fā)布的器件具
軟件大?。何粗?/span>星級(jí)： 更新時(shí)間：2011-07-08
器件采用6種功率封裝，提供4個(gè)不同的正向電壓降與反向恢復(fù)時(shí)間的折中選項(xiàng)
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600 V FRED Pt? Hyperfast和Ultrafast整流器。這些新器件具有極快的軟恢復(fù)時(shí)間、低正向壓降和反向恢復(fù)電荷，降低了開關(guān)電源中高效PFC的
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器件采用節(jié)省空間的miniQFN封裝，在2.7V下的最大導(dǎo)通電阻為0.6?
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出3款新型單極雙擲（SPDT）和雙路的雙極雙擲（DPDT）CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599。這些器件具有低工作電壓和低導(dǎo)通電阻，采用小尺寸miniQFN封裝，可在空間受限的便攜式終端產(chǎn)品中用于音頻、SIM卡和多功能信號(hào)切換。
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IHLP-3232DZ-01具有4.0mm的超低高度，感值從0.22μH至10.0μH，最大DCR低至1.68m?
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用3232外形尺寸的新款低高度、高電流IHLP?電感器--- IHLP-3232DZ-01，電感器具有8.18mmx8.64mm的尺寸和4.0mm的超低高度。IHLP-3232DZ-01的最大DCR低至1.68m?，具有
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Vishay展示的器件包括牛角式和螺栓式功率鋁電解電容器、低壓金屬化薄膜電容器，以及用于功率電子和功率校正控制器的DC-link和交流濾波電容器。
除用于功率轉(zhuǎn)換的具有高功率耗散和寬阻值范圍的厚膜功率電阻外，以及針對(duì)汽車應(yīng)用的高工作溫度及高額定電流的高電流熱熔斷器，Vishay還將展示其Draloric/Beyschlag薄膜剎車電阻。
在用于功率轉(zhuǎn)換的功率MOSFET方面，Vishay重點(diǎn)展示的產(chǎn)品包括業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET、節(jié)省空間的PowerPAIR?器件、具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的下一代40
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新器件阻值范圍擴(kuò)大至250Ω～3MΩ，提供1206、2010和2512三種外形尺寸
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現(xiàn)可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸，阻值范圍擴(kuò)大至250Ω～3MΩ，并可提供非標(biāo)阻值。
PLTT電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，比傳統(tǒng)薄膜電阻擴(kuò)大了近100℃。器件具有低至±5 ppm/℃的標(biāo)
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器件采用TO-220AB、ITO-220AB和TO-263AB封裝,具有10A至60A的寬電流等級(jí)，在10A時(shí)的典型VF低至0.33V
賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 16 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出12個(gè)具有三種功率封裝的45V器件，這些器件具有10A～60A的寬電流等級(jí)，擴(kuò)充了其TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。這些整流器在10A時(shí)具有0.33V的極低典型正向壓降，針對(duì)在太陽(yáng)能電
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 6 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將在6月21-23日于上海國(guó)際會(huì)議中心舉行的PCIM（功率轉(zhuǎn)換，智能運(yùn)動(dòng)）Asia 2011期間，在A15和A16展位展示該公司最新的業(yè)界領(lǐng)先的電容器、電阻和功率MOSFET。 PCIM Asia是功率電子、智能運(yùn)動(dòng)和電能質(zhì)量領(lǐng)域的國(guó)際性展覽和研討會(huì)。在會(huì)議期間，Vis
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軟件大小：未知 星級(jí)： 更新時(shí)間：2011-06-16
