1969年起,富士通開始提供存儲(chǔ)器,至今已走過了46個(gè)年頭。
現(xiàn)在,富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器“FRAM(Ferroelectric Random AccessMemory)”。
1995年起,公司開始開發(fā)FRAM,具有17年以上的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。迄今為止來自世界43個(gè)國(guó)家的客戶咨詢過FRAM的200多種應(yīng)用產(chǎn)品。 FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)簽等醫(yī)療領(lǐng)域。近年來,還被應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人以及無人機(jī)中。
如上所述,本公司FRAM產(chǎn)品憑借著由強(qiáng)大技術(shù)能力支撐的高質(zhì)量與穩(wěn)定的產(chǎn)品供貨,長(zhǎng)期被要求高可靠性存儲(chǔ)器的客戶所愛用。
今后,我們將進(jìn)一步降低存儲(chǔ)器的功耗,擴(kuò)大存儲(chǔ)器的操作溫度范圍,加大存儲(chǔ)器的容量,同時(shí)繼續(xù)開發(fā)最適合客戶用途的產(chǎn)品。
FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film)。
本公司的FRAM里使用了PZT(鋯鈦酸鉛)的鐵電物質(zhì),其結(jié)晶結(jié)構(gòu)如右圖所示。
方格中的Zr (鋯)或Ti (鈦)離子有兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn),其性質(zhì)是在外部電場(chǎng)作用下會(huì)改變位置(鐵電性)。定位于任一穩(wěn)定點(diǎn)后,即使撤掉電場(chǎng),其位置也不會(huì)發(fā)生改變。即記憶了極化狀態(tài)。
鐵電膜的上下設(shè)置有電極,構(gòu)成電容器,標(biāo)示出電極電壓及極化量時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)磁滯(過程),從而能夠記憶“1”或者“0”。
鐵電存儲(chǔ)器就是利用了這種非易失性。
雖然EEPROM或閃存也會(huì)根據(jù)元件內(nèi)的存儲(chǔ)區(qū)域是否有電荷來記憶數(shù)據(jù),但FRAM是根據(jù)極化的方向來記憶數(shù)據(jù)的,所以兩者具有不同的記憶方式。
FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
FRAM產(chǎn)品可分為兩個(gè)系列。
分別是以SOP/SON等封裝產(chǎn)品形式提供的“獨(dú)立存儲(chǔ)器”和FRAM內(nèi)置的RFID用LSI以及驗(yàn)證LSI等的“FRAM內(nèi)置LSI”。
另外,根據(jù)客戶的要求,開發(fā)和供應(yīng)最大限度發(fā)揮應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及性能的FRAM內(nèi)置定制LSI。
串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外,正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外,還提供可穿戴設(shè)備用SON(Small Outline Non-leaded package)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封裝形式的產(chǎn)品。
同時(shí),使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至4Mbit的并行存儲(chǔ)器。在利用SRAM及數(shù)據(jù)保存用電池供電的應(yīng)用中,并行存儲(chǔ)器被用作進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。
FRAM保證了高速寫入以及最大10兆次的讀寫次數(shù),因此被應(yīng)用于需要“連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)”、“三維位置信息實(shí)時(shí)記錄”、“完整保護(hù)數(shù)據(jù)”,并連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的應(yīng)用中。滿足了“省去保持?jǐn)?shù)據(jù)用的電池”、“反復(fù)讀寫而需要讀寫次數(shù)多的存儲(chǔ)器”、“保存斷電前瞬間數(shù)據(jù)”等要求。
本公司新開發(fā)面向1Mbit FRAM“MB85RS1MT”的8引腳晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WL-CSP)并開始供貨。
與傳統(tǒng)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOP封裝相比,WL-CSP大約為SOP的23%,能夠減少約77%的安裝面積。而且,本W(wǎng)L-CSP的厚度為0.33mm,約是信用卡的一半,從安裝體積比來看,能夠減少大約95%的體積。
另外,與同為非易失性存儲(chǔ)器的通用EEPROM相比,MB85RS1MT的寫入時(shí)間較短,從而能夠大幅降低寫入時(shí)的功耗。
因此,將該FRAM引入需要頻繁實(shí)時(shí)記錄原始數(shù)據(jù)的可穿戴設(shè)備,將有利于延長(zhǎng)電池的使用壽命或?qū)崿F(xiàn)電池的小型化。
本公司開發(fā)出了在Quad SPI接口非易失性RAM市場(chǎng)里最大容量的4Mbit FRAM “MB85RQ4ML”,并開始提供產(chǎn)品。
本產(chǎn)品采用1.8V的獨(dú)立電源,Quad SPI接口,并以108MHz的動(dòng)作頻率實(shí)現(xiàn)了54Mbyte/秒的數(shù)據(jù)傳輸。本公司的傳統(tǒng)產(chǎn)品中,具有16bit輸入輸出引腳的44引腳的并行接口的4Mbit FRAM的最快,為13Mbyte/秒,而本產(chǎn)品以較少的引腳實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于4倍速度的數(shù)據(jù)讀寫。
因?yàn)榫哂懈咚賱?dòng)作及非易失性的特點(diǎn),MB85RQ4ML成為網(wǎng)絡(luò)、RAID控制器、工業(yè)計(jì)算領(lǐng)域的最佳選擇。
本公司的FRAM廣泛應(yīng)用于電力儀表、辦公設(shè)備及產(chǎn)業(yè)設(shè)備市場(chǎng)。目前提供的FRAM高溫端最大工作保證溫度為85℃,但為了適應(yīng)車載設(shè)備市場(chǎng)的要求,公司正在開發(fā)將工作溫度提高至125℃的面向車載的FRAM產(chǎn)品。
該新產(chǎn)品不僅將工作溫度提高至125℃,而且為了滿足車載設(shè)備市場(chǎng)的高質(zhì)量要求,公司重新評(píng)估和修改內(nèi)部設(shè)計(jì)回路,提高產(chǎn)品可靠性。車載用FRAM依據(jù)AEC-Q100(*1)可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),可滿足PPAP(*2)。
如今圍繞車載設(shè)備的環(huán)境,廢氣排放得到嚴(yán)格限制,并要求低能耗,且安全裝備等都是利用電子器件進(jìn)行復(fù)雜控制。為了實(shí)現(xiàn)低能耗,就需要更多的使用斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。另外,出現(xiàn)問題時(shí),因?yàn)橹匾脑紨?shù)據(jù)都須保留在存儲(chǔ)器中,這就要求存儲(chǔ)器具有高可靠性及快速寫入的性能。
本公司生產(chǎn)的高可靠性、高性能FRAM非易失性存儲(chǔ)器滿足了車載設(shè)備市場(chǎng)的上述需求。
關(guān)于車載FRAM的詳細(xì)情況,請(qǐng)查閱本公司的WEB網(wǎng)站或者咨詢銷售公司。
*1 :AEC(Automotive Electronic Council)
*2 :PPAP(Production Part Approval Process)
非易失性存儲(chǔ)器FRAM,無需保持?jǐn)?shù)據(jù)的電池,所以保持?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)不產(chǎn)生能耗。而且,寫入時(shí)間較通用EEPROM及閃存要短,具有寫入能耗低的優(yōu)點(diǎn)。因此,僅僅通過能量回收產(chǎn)生的微小電動(dòng)勢(shì),就能將數(shù)據(jù)寫入FRAM,因此,除能量回收以外,即使沒有電池電源,也能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)。實(shí)際上,我們已確認(rèn)內(nèi)置有FRAM的演示設(shè)備已經(jīng)能夠在沒有電池的狀態(tài)下寫入數(shù)據(jù)。
也就是說,F(xiàn)RAM通過自身的“非易失性”及“高速寫入”,實(shí)現(xiàn)了低能耗,為無電池技術(shù)提供了解決方案。
● 只要旋轉(zhuǎn)表盤就能記錄轉(zhuǎn)數(shù)(無電池)
iC-Haus公司是本公司的業(yè)務(wù)伙伴,提供使用韋根線技術(shù)、內(nèi)置有FRAM的演示設(shè)備。通過該演示設(shè)備,已確認(rèn)僅僅利用旋轉(zhuǎn)表盤產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì),就能將表盤轉(zhuǎn)數(shù)寫入FRAM。請(qǐng)?jiān)诮榻BFRAM的WEB網(wǎng)站中觀看演示設(shè)備的實(shí)際操作視頻。
● 只要彎曲軟質(zhì)纖維板就能記錄轉(zhuǎn)數(shù)(無電池)
我們以MUNEKATA公司(*1)提供的樹脂系列壓電元件的軟質(zhì)纖維板(91mm×55mm,名片大?。槟芰炕厥针娫?,開發(fā)了內(nèi)置FRAM的演示設(shè)備。通過該演示設(shè)備,已確認(rèn)僅僅利用彎曲軟質(zhì)纖維板產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì),就能將彎曲次數(shù)寫入FRAM。
*1 :MUNEKATA株式會(huì)社(MUNEKATA Co., LTD)提供采用噴涂工藝制作的樹脂系列壓電元件。
串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外,正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外,還提供可穿戴設(shè)備用SON(Small Outline Non-leadedpackage)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封裝產(chǎn)品。
與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,串行接口存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)在于寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。
*1 :當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí),數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng),詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
*1 :當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí),數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng),詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
*2 :滿足SPI以及Quad SPI接口
*3 :高速讀取模式時(shí),可實(shí)現(xiàn)最大40MHz操作。
*4 :有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器功能
*5 :雙SPI模式時(shí),可實(shí)現(xiàn)最大7.5MHz操作。
并行接口存儲(chǔ)器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品,工作時(shí)的電源電壓為3.3V,但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大范圍內(nèi)進(jìn)行工作。封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應(yīng)用中,并行接口存儲(chǔ)器被作為進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。
*1 :當(dāng)工作溫度低于+55℃或+85℃時(shí),數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng),詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長(zhǎng), 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗(yàn)證IC產(chǎn)品。
FRAM內(nèi)置RFID用LSI本公司提供使用無限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。本公司的產(chǎn)品不是以單純讀出為中心的RFID標(biāo)簽,作為面向數(shù)據(jù)攜帶型RFID標(biāo)簽,國(guó)內(nèi)外FA領(lǐng)域、設(shè)備維護(hù)領(lǐng)域及醫(yī)療領(lǐng)域正在導(dǎo)入其產(chǎn)品。今后的傳感器網(wǎng)絡(luò)社會(huì)中,利用傳感器取得的數(shù)據(jù)的無線通信不可或缺,而本公司的產(chǎn)品將作為支持這一社會(huì)的LSI受到關(guān)注。
? 高速數(shù)據(jù)寫入 ?。嚎商岣邤?shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。
? 穩(wěn)定的通信距離 ?。旱凸哪J綄懭牍ぷ?,實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。
? 大容量?jī)?nèi)置存儲(chǔ)單元:記錄信息于電子標(biāo)簽,實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量?jī)?nèi)存單元。
? 讀寫工作的高耐久性:保證最高1萬億次的讀/寫工作,實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽的長(zhǎng)期使用和重復(fù)使用。
? 符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ?。焊皇客ò雽?dǎo)體RFID LSI產(chǎn)品系列符合ISO15693和ISO18000-3(mod1),6。
*1 :開發(fā)中的MB97Rxxxx為MB97R803A/804B的后續(xù)品種。
FRAM還在IC卡等安全領(lǐng)域有業(yè)績(jī),提供FRAM內(nèi)置式設(shè)備驗(yàn)證LSI。通用的驗(yàn)證用LSI為MB94R330。
MB94R330序列利用電子設(shè)備本體與外設(shè)之間的激勵(lì)與響應(yīng)來進(jìn)行驗(yàn)證操作,識(shí)別正品與假冒產(chǎn)品。
適用于檢測(cè)出在打印機(jī)、復(fù)合機(jī)等電子設(shè)備本體上使用的外設(shè)的(墨盒、碳粉盒等)假冒產(chǎn)品。
在安全用途方面,由于其性質(zhì),為了滿足客戶特殊技術(shù)要求,除通用LSI外,還提供定制LSI。
本公司自1995年開始開發(fā)FRAM,具有17年以上的豐富的量產(chǎn)業(yè)績(jī)。正是“量產(chǎn)化”的實(shí)現(xiàn)以及持續(xù)的穩(wěn)定供給,證明本公司具有非常高的技術(shù)能力。
FRAM中使用了鐵電,而在此之前的半導(dǎo)體過程中,鐵電會(huì)出現(xiàn)劣化,所以很難實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。本公司確定了劣化的原因,并在制造過程中采取了相應(yīng)的措施,最終在世界上率先成功實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。公司開發(fā)的量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)技術(shù)以及FRAM產(chǎn)品對(duì)社會(huì)的貢獻(xiàn)已得到認(rèn)可,2011年以后也獲得了多個(gè)權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)。今后,我們也將致力于穩(wěn)定供應(yīng)由高技術(shù)能力支撐的高質(zhì)量存儲(chǔ)器。
歷史上獲獎(jiǎng)
2013 : ? 第7屆 日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員獎(jiǎng)
? 第61屆 文部科學(xué)大臣促進(jìn)獎(jiǎng) 電氣科技促進(jìn)獎(jiǎng)
2014 : ? 第60屆 大河內(nèi)紀(jì)念技術(shù)獎(jiǎng)
? 平成26年 文部科學(xué)大臣表彰 科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)(研發(fā)部門)
? 第14屆 山崎貞一獎(jiǎng)(半導(dǎo)體及半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域)
2015 : ? 平成27年 春季褒章 紫綬褒章
銷售聯(lián)系
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