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每個功率器件都需要一個驅(qū)動芯片——合適的驅(qū)動器讓您事半功倍

英飛凌EiceDRIVER 柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET以及GaN HEMT，包括：
- 隔離柵極驅(qū)動器
- 電平轉換柵極驅(qū)動器
- 非隔離低邊驅(qū)動器
下載選型手冊，可基于不同的終端應用，為您推薦最適合的柵極驅(qū)動芯片。

下載選型手冊

EiceDRIVER? 柵極驅(qū)動器產(chǎn)品介紹

電平轉換驅(qū)動芯片
> 絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動芯片

能夠在芯片內(nèi)部集成自舉二極管，擁有極低的電平轉換電路損耗，和VS腳優(yōu)異的抗負壓能力

> PN結隔離（JI）驅(qū)動芯片

產(chǎn)品詳情
隔離型驅(qū)動芯片

耐用、強大、精準的單通道和雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC

> 高達10A的電流驅(qū)動能力，無需外部放大器

> 精準可靠的DESAT保護， 有源米勒鉗位功能，UL和VDE認證

非隔離驅(qū)動芯片

柵極驅(qū)動器IC，帶有低邊輸出通道，可控制MOSFET或IGBT等功率器件

> 單通道和雙通道低邊驅(qū)動芯片， 擁有不同的電流驅(qū)動能力， 正反邏輯輸入，和UVLO

EiceDRIVER? 柵極驅(qū)動器選型指南

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