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評(píng)論

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——紀(jì)念摩爾定律50周年

僅2014年一年，半導(dǎo)體生產(chǎn)商就制造了250×10¹⁸個(gè)晶體管，這樣的產(chǎn)量，確實(shí)達(dá)到了天文數(shù)字級(jí)別。

平均來說，2014年的每一秒都會(huì)產(chǎn)出8萬億個(gè)晶體管。這個(gè)數(shù)字是已知銀河系中行星總數(shù)的25倍；太陽系行星總數(shù)的75倍。

而且其增長(zhǎng)速度依舊在擴(kuò)大，2014年的產(chǎn)量比前3年的總產(chǎn)量還要多，就算經(jīng)濟(jì)衰退也對(duì)其影響甚微。

在半導(dǎo)體行業(yè)嚴(yán)重衰退的2009年，晶體管產(chǎn)量還是要比從2007至2008年的總產(chǎn)量多。

對(duì)摩爾定律不懈追求激發(fā)了這樣的發(fā)展速度。十年間，工業(yè)創(chuàng)新和小型化使工程師們可以在硅晶片上排列更多的元件。

這使晶體管的造價(jià)（如上所說晶體管成本很容易得知）持續(xù)降低。

隨之而來的是價(jià)格不出預(yù)料的下降，這其實(shí)是一個(gè)自我強(qiáng)化的過程。因?yàn)殡娮又圃炱髽I(yè)依靠摩爾定律，就能規(guī)劃未來的生產(chǎn)計(jì)劃，也能在新產(chǎn)品和優(yōu)化原有產(chǎn)品這兩個(gè)方面追加更多的投資。

這是有深遠(yuǎn)意義的，因?yàn)樗龠M(jìn)了經(jīng)濟(jì)的繁榮。已經(jīng)不斷上漲的趨勢(shì)不但使整個(gè)行業(yè)在進(jìn)步，而且可以讓我們開創(chuàng)一個(gè)神奇的全新領(lǐng)域。

關(guān)鍵字：晶體管摩爾定律編輯：chenyy 引用地址：晶體管的生產(chǎn)規(guī)模已接近天文數(shù)字：看摩爾定律的實(shí)踐

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英特爾碳納米管研究有望解決芯片發(fā)展瓶頸

在半導(dǎo)體業(yè)界，晶體管和晶體管之間的距離都越來越小。這樣，用來連接不同晶體管的細(xì)連接線就顯露出越來越大的問題。在上個(gè)世紀(jì)九十年代末期，連接線借助材質(zhì)從鋁向銅的轉(zhuǎn)變才解決了當(dāng)時(shí)的問題，但是現(xiàn)在銅制連接線也越來越不能滿足需求了。由于連接線越來越細(xì)，銅線中的電子就開始撞擊某些金屬原子而發(fā)出電子噪音。英特爾公司正在嘗試用碳納米管來代替銅制連接線。讓人欣喜的是，碳納米管不僅可以導(dǎo)電，而且電阻幾乎可以忽略不計(jì)，電子在其中移動(dòng)根本不會(huì)受阻或者發(fā)散。這就是所謂的“彈道導(dǎo)電(ballistic conductivity)”，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為它將有助于解決晶體管密集情況下的導(dǎo)電問題。英特爾下一步必須論證它可以大規(guī)模生產(chǎn)出同一規(guī)格的

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中國(guó)發(fā)明新晶體管,提高國(guó)際芯片制造話語權(quán)

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電腦只有紐扣大小？英特爾說這個(gè)可以有

英特爾宣布以167億美元收購(gòu)FPGA生產(chǎn)商Altera。而在臺(tái)北電腦展上，英特爾高級(jí)副總裁施浩德也談到剛剛完成的收購(gòu)，他表示，“Altera配合英特爾的業(yè)務(wù)，協(xié)助英特爾發(fā)揮摩爾定律的效率”。事實(shí)上，這條誕生于50年前的定律仍然在影響今天的英特爾產(chǎn)業(yè)決策，其已數(shù)字計(jì)算轉(zhuǎn)化為創(chuàng)新引擎。 ? ? 作為出席此次臺(tái)北電腦展，英特爾職位最高的發(fā)言人，施浩德把今年英特爾的技術(shù)熱點(diǎn)再次做出強(qiáng)調(diào)，并發(fā)布了一些新的芯片產(chǎn)品。其中包括一個(gè)紐扣型的超級(jí)電腦原型。他說，“到2020年，電腦會(huì)變成紐扣大小，這就是摩爾定律的厲害”。 ? 在本屆臺(tái)北電腦展上，跳票已久的14nm采用Broadwell架構(gòu)的Core i7處理器得以展示，配合其最新

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翻譯自——tomshardware 摘要：摩爾定律的核心理念是提高晶體管的密度，現(xiàn)在我們通過并行化或者改進(jìn)封裝來實(shí)現(xiàn)。臺(tái)積電表示，盡管最近的時(shí)代思潮與摩爾定律相反，但摩爾定律依然存在。臺(tái)積電還展示了一個(gè)巨大的2500平方米的硅中介層，包括8個(gè)HBM內(nèi)存芯片和兩個(gè)大處理器。本文講述了臺(tái)積電如何利用多層堆疊的方法來提高芯片性能。臺(tái)積電新任全球營(yíng)銷主管Godfrey Cheng在博客中寫道：摩爾定律與性能無關(guān)，而是與晶體管密度有關(guān)。傳統(tǒng)的方法，雖然性能是通過提高時(shí)鐘速度和體系結(jié)構(gòu)來提高的，但今天是通過硅架構(gòu)創(chuàng)新和計(jì)算工作負(fù)載的線程化或并行化達(dá)到高性能目的，因此這需要增加芯片大小。這就說明了晶體管密度的重要性，因?yàn)樾酒杀?/div>

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晶體管參數(shù)——最大反向電壓

最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí)，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用Vceo或BVceo表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí)，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發(fā)射極—基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí)，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用Vebo或BVebo表示。

[模擬電子]

東芝為電路設(shè)計(jì)開發(fā)出新型緊湊模型

　　日本的東芝公司宣布已經(jīng)為電路設(shè)計(jì)開發(fā)了一項(xiàng)新的緊湊模型，從而可以實(shí)現(xiàn)45納米CMOS工藝中更高的門密度。　　東芝稱通過這項(xiàng)技術(shù)，45納米CMOS的門密度可以提升到65納米的2.6倍。　　東芝稱其已經(jīng)開發(fā)出一項(xiàng)技術(shù)，通過觀察電路設(shè)計(jì)所依賴的因素，能夠分別預(yù)測(cè)每個(gè)晶體管的性能。　　其新技術(shù)可以估算每個(gè)晶體管的特性參數(shù)并將之轉(zhuǎn)化到電路設(shè)計(jì)中，結(jié)果就是：東芝得到了更高的門密度卻沒有增加設(shè)計(jì)中不穩(wěn)定的可能。　　這項(xiàng)最新的技術(shù)是在6月18號(hào)的2008年 VLSL（超大規(guī)模集成電路）技術(shù)討論大會(huì)上公布的。

[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]

100W電子管擴(kuò)音機(jī)改由晶體管整流供電

該機(jī)的電源整流電路如下圖a所示。　　電路由燈絲變壓器B2、次高壓變壓器B1和大高壓變壓器B3供電。　　開機(jī)時(shí)，先合上低壓開關(guān)Kl，接通燈絲變壓器B2，使整機(jī)所有電子管燈絲通電開始對(duì)陰極進(jìn)行加熱。由于+810V大高壓由兩只汞汽整流管VI、V2(866X2)整流供電，故燈絲必須加熱5分鐘.才能加高壓。　　加熱5分鐘后，合上高壓開關(guān)K2.由雙二極電子管Vl(5U4G)將B2次級(jí)的470V+470V交流電壓整流，經(jīng)ZL1、C3、C4、c5、C6濾波后輸出+436V電壓(次高壓)，供給推動(dòng)級(jí)(6L6GX2)前置級(jí)工作電壓?！　「邏鹤儔浩鰾3次級(jí)920V+920V交流高壓經(jīng)汞汽管V2、V3(866X2)整流.ZL

[電源管理]

100W電子管擴(kuò)音機(jī)改由<font color='red'>晶體管</font>整流供電

一下子搞出三種量子芯片材料，這個(gè)科研團(tuán)隊(duì)火了

經(jīng)過60年的發(fā)展，計(jì)算機(jī)已變得更小更快，價(jià)格也越來越便宜。但硅基晶體管的尺寸和運(yùn)算速度已接近極限的邊緣，如何使傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)突破上述極限，研究人員似乎已計(jì)窮智竭。 ? 為了解決這一問題，科學(xué)家們開始尋求用基于光子的量子計(jì)算機(jī)取代傳統(tǒng)硅基計(jì)算機(jī)。量子計(jì)算機(jī)能更快執(zhí)行各種復(fù)雜計(jì)算，研究生物系統(tǒng)，創(chuàng)建加密和大數(shù)據(jù)系統(tǒng)，解決許多涉及多種變量的難題。 ? 但現(xiàn)有量子計(jì)算技術(shù)中，一些前沿性研究需要將材料冷卻到絕對(duì)零度（-273.15℃）左右，這阻礙了量子計(jì)算機(jī)從理論到實(shí)用的進(jìn)程。美國(guó)斯坦福大學(xué)電子工程系教授伊蓮娜·沃科維克帶領(lǐng)其團(tuán)隊(duì)，近日分別在雜志上發(fā)表了3篇論文，宣稱他們已經(jīng)研制出能在室溫下操作的量子芯片材料，包括一種量子點(diǎn) 、二種“

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