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利用正向壓降測量半導體結(jié)溫

利用正向壓降測量半導體結(jié)溫 從集成電路中數(shù)以百萬計晶體管到制造高亮度LED的大面積復合結(jié),半導體結(jié)可能由于不斷產(chǎn)生的熱量而在早期發(fā)生故障。當特征尺寸縮小并且當所需電流增大的情況下,這會成為非常嚴重的問題,甚至正常操作也可能聚積熱量,使結(jié)溫升高。溫度上升會導致半導體結(jié)內(nèi)部的故障增加,進而使性能降低、使用壽命縮短。因此,需要一種準確測量半導體器件溫度的方法,避免出現(xiàn)危險的高溫。本文介紹了一種用常規(guī)測試和測量儀器測量結(jié)溫的簡單方法,并且如何用測量的結(jié)溫監(jiān)視指定器件的工作條件。

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  • 更新時間:2009-12-29 15:36:04
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