日韩一区二区三区精品,欧美疯狂xxxxbbbb牲交,热99re久久免费视精品频,人妻互换 综合,欧美激情肉欲高潮视频

您現(xiàn)在的位置>>白皮書 > 測試測量 > 適于先進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試（英文）

適于先進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試（英文）

適于先進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試（英文） Traditionally, DC stress and measure techniques have been widely used for characterizing the reliability of CMOS transistors, such as the degradation due to channel hot carrier injection (HCI) and Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB).

下載說明
  • 發(fā)布公司：Keithley
  • 文件大?。?55.26 Kb
  • 更新時間：2010-01-18 15:31:17
  • 官網(wǎng)：

  • EEWorld感謝您的關(guān)注!
?
相關(guān)下載