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復(fù)旦大學(xué)在集成電路領(lǐng)域獲關(guān)鍵突破!每秒存取25億次,史上最快!

發(fā)布者:RadiantRiver最新更新時間:2025-04-18 來源: 科技日報 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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復(fù)旦大學(xué)在集成電路領(lǐng)域獲關(guān)鍵突破!由該校周鵬/劉春森團(tuán)隊研制的“破曉”皮秒閃存器件,擦寫速度快至400皮秒,相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作,是人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲器件。北京時間4月16日,相關(guān)研究成果發(fā)表于國際期刊《自然》。


電荷存儲器是信息技術(shù)蓬勃發(fā)展的根基。個人電腦中的“內(nèi)存”和“硬盤”,是電荷存儲器的兩種典型代表。然而,斷電后,“內(nèi)存”——靜態(tài)隨機(jī)存儲器“SRAM”和動態(tài)隨機(jī)存儲器“DRAM”,存儲的數(shù)據(jù)會丟失,這種“易失性”特性限制了其在低功耗條件下的應(yīng)用。相比之下,“硬盤”——以閃存為代表的非易失性存儲器,在斷電后不會丟失數(shù)據(jù),但由于其電場輔助編程速度遠(yuǎn)低于晶體管開關(guān)速度,它難以滿足需要對大量數(shù)據(jù)極高速存取的場合,例如AI計算等場景。

因此,針對當(dāng)下AI計算所需的算力與能效要求,存儲技術(shù)亟須突破,而破局點在于解決集成電路領(lǐng)域最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)科學(xué)問題:超越信息的非易失存取速度極限,也就是斷電不丟失,存取還要快。

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通過突破基礎(chǔ)理論的瓶頸,研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)一種電荷存儲的“超注入”機(jī)制。據(jù)此,研究團(tuán)隊重新定義了現(xiàn)有的存儲技術(shù)邊界,并成功研制“破曉”皮秒閃存器件,其性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)。劉春森透露,目前相關(guān)產(chǎn)品正在嘗試小規(guī)模量產(chǎn)。


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