內(nèi)容簡介

性能和環(huán)保是當(dāng)前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費(fèi)者所耳熟能詳。
若系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(battery backed static random access memory, BBSRAM)；非易失性SRAM；鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)；以及其它NVRAM技術(shù)。在從工廠自動(dòng)化和電信到計(jì)量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲(chǔ)器選擇，是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)。
本白皮書將闡釋F-RAM 和 BBSRAM存儲(chǔ)器之間的功能差異和設(shè)計(jì)差異。本文還會(huì)特別強(qiáng)調(diào)F-RAM如何能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員提供具備成本優(yōu)勢(shì)和更簡化的系統(tǒng)及維護(hù)的前瞻性的環(huán)保選擇方案。

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